PZU4.7BL,315 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PZU4.7BL,315، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PZU4.7BL,315 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PZU4.7BL,315 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PZU4.7BL,315
- رقم القطعة:
- PZU4.7BL,315
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- DIODE ZENER 4.7V 250MW SOD882
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53802 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PZU4.7BL,315.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 4.7V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 100mA |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1006-2 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 250mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOD-882 |
| اسماء اخرى: | 934061665315 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 80 Ohms |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 4.7V 250mW ±5% Surface Mount DFN1006-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2µA @ 1V |
| رقم جزء القاعدة: | PZU4V7 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPZU4.7BL,315
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PZU4.7DB2,115 | Nexperia | DIODE ZENER ARRAY 4.7V 5TSSOP | تحقيق |
 |
PZU5.1BA,115 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 320MW SOD323 | تحقيق |
 |
PZU4.7B2,135 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F | تحقيق |
|
PZU4.7BA,115 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 320MW SOD323 | تحقيق |
|
PZU5.1B2A,115 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 320MW SOD323 | تحقيق |
|
PZU4.7B1,115 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F | تحقيق |
|
PZU4.7B3A,115 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 320MW SOD323 | تحقيق |
|
PZU5.1B3,115 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 310MW SOD323F | تحقيق |
|
PZU4.7B3,115 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F | تحقيق |
|
PZU4.7B2,115 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F | تحقيق |
|
PZU4.7B2A,115 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 320MW SOD323 | تحقيق |
|
PZU5.1B1A,115 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 320MW SOD323 | تحقيق |
|
PZU4.7B,115 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F | تحقيق |
 |
PZU4.7B2L,315 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 250MW SOD882 | تحقيق |
|
PZU4.7B1A,115 | Nexperia | DIODE ZENER 4.7V 320MW SOD323 | تحقيق |
|
PZU5.1B,115 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 310MW SOD323F | تحقيق |
|
PZU5.1B3A,115 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 320MW SOD323 | تحقيق |
|
PZU5.1B2,115 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 310MW SOD323F | تحقيق |
|
PZU5.1B1,115 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 310MW SOD323F | تحقيق |
|
PZU5.1B2L,315 | Nexperia | DIODE ZENER 5.1V 250MW SOD882 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل