PZM9.1NB2A,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PZM9.1NB2A,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PZM9.1NB2A,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PZM9.1NB2A,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PZM9.1NB2A,115
- رقم القطعة:
- PZM9.1NB2A,115
- وصف:
- DIODE ZENER 9.1V 220MW SMT3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21900 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PZM9.1NB2A,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 10 Ohm |
| الجهد - انهيار: | SMT3; MPAK |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| السلطة - ماكس: | 220mW |
| الاستقطاب: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | 934055622115 PZM9.1NB2A T/R PZM9.1NB2A T/R-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PZM9.1NB2A,115 |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 9.1V |
| وصف موسع: | Zener Diode 220mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±2% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 500nA @ 6V |
| وصف: | DIODE ZENER 9.1V 220MW SMT3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.1V @ 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPZM9.1NB2A,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PZM6.2NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM6.8NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM6.8NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM7.5NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 7.5V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM8.2NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM8.2NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM8.2NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM6.8NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM7.5NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 7.5V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM7.5NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 7.5V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM8.2NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 8.2V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM7.5NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 7.5V 220MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM8.2NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 8.2V 220MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM6.8NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 6.8V 220MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM9.1NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM7.5NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 7.5V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM9.1NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM9.1NB2,115 | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM9.1NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM6.8NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS