PZM4.7NB,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PZM4.7NB,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PZM4.7NB,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PZM4.7NB,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PZM4.7NB,115
- رقم القطعة:
- PZM4.7NB,115
- وصف:
- DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41019 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PZM4.7NB,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 80 Ohm |
| الجهد - انهيار: | SMT3; MPAK |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| السلطة - ماكس: | 300mW |
| الاستقطاب: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | 934046730115 PZM4.7NB T/R PZM4.7NB T/R-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PZM4.7NB,115 |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 4.7V |
| وصف موسع: | Zener Diode 300mW ±5% Surface Mount SMT3; MPAK |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 3µA @ 1V |
| وصف: | DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.1V @ 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPZM4.7NB,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PZM4.3NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM30NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 30V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM5.1NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM3.9NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 3.9V 220MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM4.7NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.7V 220MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM4.7NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM5.6NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.6V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM3.9NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 3.9V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM5.1NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM4.3NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 220MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM4.3NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM5.1NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM5.1NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM4.7NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM36NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 36V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM4.7NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM33NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 33V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM4.3NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM4.3NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 300MW SMT3 | تحقيق |
|
PZM5.1NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 220MW SMT3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS