PTN1206E3571BST1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PTN1206E3571BST1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PTN1206E3571BST1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PTN1206E3571BST1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PTN1206E3571BST1
- رقم القطعة:
- PTN1206E3571BST1
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- RES SMD 3.57K OHM 0.1% 0.4W 1206
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31062 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PTN1206E3571BST1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±25ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1206 |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | PTN |
| وضع لوحة: | 3.57 kOhms |
| السلطة (واتس): | 0.4W, 2/5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1206 (3216 Metric) |
| اسماء اخرى: | 764-1301-2 PTN1206E3571BST1-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.033" (0.84mm) |
| الميزات: | Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 3.57 kOhms ±0.1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive Thin Film |
| تركيب: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTN1206E3571BST1
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار