PSMN5R6-100YSFX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PSMN5R6-100YSFX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PSMN5R6-100YSFX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PSMN5R6-100YSFX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PSMN5R6-100YSFX
- رقم القطعة:
- PSMN5R6-100YSFX
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- PSMN5R6-100YSF/SOT1023/4 LEADS
- كمية المخزون:
- 42220 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PSMN5R6-100YSFX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| فغس (ماكس): | - |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | LFPAK56, Power-SO8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 294W |
| حزمة / كيس: | SOT-1023, 4-LFPAK |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 63nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 100V 158A 294W Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 158A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPSMN5R6-100YSFX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN5R6-100YSFQ | Nexperia | PSMN5R6-100YSF/SOT1023/4 LEADS | تحقيق |
 |
PSMN5R6-100BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | تحقيق |
|
PSMN5R0-80PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB | تحقيق |
 |
PSMN5R6-60YLX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 | تحقيق |
|
PSMN5R4-25YLDX | Nexperia | PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | تحقيق |
|
PSMN6R0-30YLB,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V LFPAK | تحقيق |
 |
PSMN5R6-100XS,127 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F | تحقيق |
|
PSMN6R0-25YLDX | Nexperia | PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | تحقيق |
|
PSMN6R0-25YLB,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 73A LL LFPAK | تحقيق |
|
PSMN6R0-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN5R0-80BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN6R0-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK | تحقيق |
 |
PSMN6R1-25MLDX | Nexperia | PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | تحقيق |
|
PSMN5R3-25MLDX | Nexperia | PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | تحقيق |
 |
PSMN5R8-30LL,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V QFN3333 | تحقيق |
|
PSMN5R2-60YLX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 | تحقيق |
|
PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN5R8-40YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V LFPAK | تحقيق |
|
PSMN5R9-30YL,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة