PSMN1R6-30MLHX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PSMN1R6-30MLHX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PSMN1R6-30MLHX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PSMN1R6-30MLHX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PSMN1R6-30MLHX
- رقم القطعة:
- PSMN1R6-30MLHX
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- PSMN1R6-30MLH/SOT1210/MLFPAK
- كمية المخزون:
- 55106 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PSMN1R6-30MLHX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | LFPAK33 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.9 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 106W (Ta) |
| حزمة / كيس: | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) |
| اسماء اخرى: | 934660071115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2.369nF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 41nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 30V 160A (Ta) 106W (Ta) Surface Mount LFPAK33 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 160A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPSMN1R6-30MLHX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R4-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
PSMN1R7-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN1R5-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
PSMN1R8-30PL,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V TO220AB | تحقيق |
 |
PSMN1R6-40YLC:115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A POWERSO8-4 | تحقيق |
|
PSMN1R4-40YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN1R6-30BL,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN1R5-30BLEJ | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN1R8-30BL,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
PSMN1R6-30PL,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB | تحقيق |
|
PSMN1R7-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
PSMN1R5-40ES,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | تحقيق |
 |
PSMN1R3-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN1R5-25YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN1R7-25YLC,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN1R5-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V LFPAK | تحقيق |
|
PSMN1R5-40PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | تحقيق |
|
PSMN1R7-25YLDX | Nexperia | PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | تحقيق |
|
PSMN1R6-40YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8 | تحقيق |
|
PSMN1R6-60CLJ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة