PMZ200UNEYL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PMZ200UNEYL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PMZ200UNEYL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PMZ200UNEYL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PMZ200UNEYL
- رقم القطعة:
- PMZ200UNEYL
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V SOT883
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46201 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PMZ200UNEYL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950mV @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1006-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | SC-101, SOT-883 |
| اسماء اخرى: | 1727-2317-6 568-12603-6 568-12603-6-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 89pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.7nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 30V 1.4A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMZ200UNEYL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMZ390UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3 | تحقيق |
|
PMZ130UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V SOT883 | تحقيق |
|
PMZ600UNELYL | Nexperia | 20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | تحقيق |
|
PMZ1200UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT883 | تحقيق |
|
PMZ1000UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH SOT883 | تحقيق |
|
PMZ290UNYL | Nexperia | MOSFET 3DFN | تحقيق |
|
PMZ290UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1A | تحقيق |
|
PMZ250UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883 | تحقيق |
|
PMZ600UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 0.6A | تحقيق |
|
PMZ950UPELYL | Nexperia | 20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET | تحقيق |
|
PMZ550UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT883 | تحقيق |
|
PMZ290UNE2YL | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 | تحقيق |
|
PMZ370UNEYL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3 | تحقيق |
|
PMZ350UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 1A XQFN3 | تحقيق |
|
PMZ390UN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883 | تحقيق |
 |
PMZ420UNYL | Nexperia | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
PMZ270XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 2.15A SOT883 | تحقيق |
|
PMZ320UPEYL | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT883 | تحقيق |
|
PMZ350XN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883 | تحقيق |
|
PMZ760SN,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883 | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي