PMPB85ENEA/FX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PMPB85ENEA/FX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PMPB85ENEA/FX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PMPB85ENEA/FX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PMPB85ENEA/FX
- رقم القطعة:
- PMPB85ENEA/FX
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46936 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PMPB85ENEA/FX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.7V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-DFN2020MD (2x2) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 95 mOhm @ 3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.6W (Ta) |
| حزمة / كيس: | 6-UDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 934070279115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 305pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 9.2nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 60V 4.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMPB85ENEA/FX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMPB85ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB43XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB48EPAX | Nexperia | PMPB48EPA/SOT1220/SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB29XPEAX | Nexperia | PMPB29XPEA/SOT1220/SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB50ENEX | Nexperia | PMPB50ENE/SOT1220/SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB43XPEAX | Nexperia | PMPB43XPEA/SOT1220/SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB29XNE,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB95ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB55ENEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD | تحقيق |
|
PMPB33XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB50ENEAX | Nexperia | PMPB50ENEA/SOT1220/SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB40SNA,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | تحقيق |
 |
PMPB29XNEAX | Nexperia | PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB30XPEX | Nexperia | PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220 | تحقيق |
|
PMPB48EP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB55XNEAX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN2020MD | تحقيق |
|
PMPB95ENEA/FX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN2020MD | تحقيق |
|
PMPB33XN,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB47XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN | تحقيق |
|
PMPB29XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC