PMN49EN,165 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PMN49EN,165، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PMN49EN,165 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PMN49EN,165 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PMN49EN,165
- رقم القطعة:
- PMN49EN,165
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36908 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PMN49EN,165.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 47 mOhm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.75W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-74, SOT-457 |
| اسماء اخرى: | 934061119165 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 350pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.8nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 30V 4.6A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMN49EN,165
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMN80XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN48XP,125 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN70EPEX | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN70XPEAX | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN45EN,135 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN42XPEAX | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN42XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN48XPAX | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN55ENEX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN40UPEAX | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN70XPX | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN49EN,135 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN55LN,135 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN50XP,165 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN45EN,165 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN52XPX | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN48XP,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN70XPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN50UPE,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP | تحقيق |
|
PMN42XPEAH | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي