PMEG3005ELD,315 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PMEG3005ELD,315، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PMEG3005ELD,315 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PMEG3005ELD,315 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PMEG3005ELD,315
- رقم القطعة:
- PMEG3005ELD,315
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD882D
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36934 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PMEG3005ELD,315.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 500mV @ 500mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1006D-2 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 6ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2-XDFN |
| اسماء اخرى: | 1727-5903-2 568-7531-2 568-7531-2-ND 934065338315 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Schottky 30V 500mA Surface Mount DFN1006D-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500µA @ 30V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 500mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 30pF @ 1V, 1MHz |
| رقم جزء القاعدة: | PMEG3005 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMEG3005ELD,315
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMEG3005CT,215 | Nexperia | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23 | تحقيق |
 |
PMEG3010BER,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123W | تحقيق |
 |
PMEG3010AESBZ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 | تحقيق |
 |
PMEG3005AEV,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOT666 | تحقيق |
 |
PMEG3005AESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 0.5A SOD962 | تحقيق |
 |
PMEG3010BEAZ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323 | تحقيق |
 |
PMEG3010BEA,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323 | تحقيق |
 |
PMEG3010BEP,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD128 | تحقيق |
 |
PMEG3005EB,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD523 | تحقيق |
 |
PMEG3005EL,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD882 | تحقيق |
 |
PMEG3005EGWJ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123 | تحقيق |
|
PMEG3010AESBYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD993 | تحقيق |
|
PMEG3005ESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 0.5A SOD962 | تحقيق |
|
PMEG3010AESAYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006U-2 | تحقيق |
 |
PMEG3005EH,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123F | تحقيق |
|
PMEG3005ET,215 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOT23 | تحقيق |
 |
PMEG3005EJ,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323F | تحقيق |
|
PMEG3005EJF | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC90 | تحقيق |
|
PMEG3005EGWX | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123 | تحقيق |
|
PMEG3010BEA,135 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل