PMDPB760ENX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PMDPB760ENX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PMDPB760ENX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PMDPB760ENX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PMDPB760ENX
- رقم القطعة:
- PMDPB760ENX
- الصانع:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- وصف:
- MOSFET AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40586 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PMDPB760ENX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | * |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMDPB760ENX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMDT290UNE,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 | تحقيق |
 |
PMDPB95XNE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | تحقيق |
|
PMDPB56XN,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 | تحقيق |
 |
PMDPB70XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN | تحقيق |
|
PMDPB70EN,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | تحقيق |
|
PMDPB95XNE2X | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON | تحقيق |
|
PMDPB65UP,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | تحقيق |
|
PMDPB70XPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON | تحقيق |
 |
PMDXB1200UPEZ | Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN | تحقيق |
|
PMDPB56XNEAX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 | تحقيق |
|
PMDPB85UPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON | تحقيق |
|
PMDXB550UNEZ | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN | تحقيق |
|
PMDPB80XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 | تحقيق |
|
PMDPB42UN,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | تحقيق |
|
PMDPB55XP,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | تحقيق |
 |
PMDT290UNEYL | Nexperia | PMDT290UNE/SOT666/SOT6 | تحقيق |
|
PMDPB38UNE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | تحقيق |
|
PMDPB58UPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 | تحقيق |
|
PMDT670UPE,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 | تحقيق |
|
PMDT290UCE,115 | Nexperia | MOSFET N/P-CH 20V SOT666 | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM