PM74S-181M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PM74S-181M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PM74S-181M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PM74S-181M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PM74S-181M
- رقم القطعة:
- PM74S-181M
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 180UH 400MA 1 OHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 46323 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PM74S-181M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | -15%, +20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.307" L x 0.276" W (7.80mm x 7.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | PM74S |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | PM74S-181K PM74S-181K-ND PM74S181K PM74S181M |
| درجة حرارة التشغيل: | -30°C ~ 100°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1kHz |
| الحث: | 180µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.193" (4.90mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 6MHz |
| وصف تفصيلي: | 180µH Shielded Wirewound Inductor 400mA 1 Ohm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 1 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 400mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPM74S-181M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PM74S-330N | Bourns, Inc. | FIXED IND 33UH 970MA 180 MOHM | تحقيق |
|
PM74S-100N | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 1.65A 70 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM74S-271M | Bourns, Inc. | FIXED IND 270UH 330MA 1.3 OHM | تحقيق |
|
PM74S-120N | Bourns, Inc. | FIXED IND 12UH 1.57A 70 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM74S-390N | Bourns, Inc. | FIXED IND 39UH 910MA 180 MOHM | تحقيق |
|
PM74S-220N | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 1.12A 130 MOHM | تحقيق |
|
PM74S-680N | Bourns, Inc. | FIXED IND 68UH 680MA 330 MOHM | تحقيق |
|
PM74S-121M | Bourns, Inc. | FIXED IND 120UH 490MA 680 MOHM | تحقيق |
|
PM74S-101M | Bourns, Inc. | FIXED IND 100UH 550MA 490 MOHM | تحقيق |
|
PM74S-221M | Bourns, Inc. | FIXED IND 220UH 360MA 1.18 OHM | تحقيق |
|
PM74S-560N | Bourns, Inc. | FIXED IND 56UH 760MA 290 MOHM | تحقيق |
|
PM74S-820N | Bourns, Inc. | FIXED IND 82UH 620MA 430 MOHM | تحقيق |
|
PM74S-151M | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 440MA 940 MOHM | تحقيق |
 |
PM7381-PI | Microsemi | 33 LINK, 672 HDLC CHANNEL FRAME | تحقيق |
|
PM74S-270N | Bourns, Inc. | FIXED IND 27UH 1.06A 160 MOHM | تحقيق |
|
PM74S-470N | Bourns, Inc. | FIXED IND 47UH 800MA 270 MOHM | تحقيق |
|
PM7382-PI | Microsemi | TELECOM INTERFACE ICS 32 LINK | تحقيق |
|
PM74S-180N | Bourns, Inc. | FIXED IND 18UH 1.29A 100 MOHM | تحقيق |
|
PM7382-PGI | Microsemi | 32 LINK, 256 HDLC CHANNEL FRAME | تحقيق |
|
PM74S-150N | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 1.39A 80 MOHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM