PM5022S-102M-RC متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PM5022S-102M-RC، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PM5022S-102M-RC عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PM5022S-102M-RC مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PM5022S-102M-RC
- رقم القطعة:
- PM5022S-102M-RC
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 1MH 450MA 2.16 OHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47317 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PM5022S-102M-RC.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.720" L x 0.551" W (18.30mm x 14.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | PM5022S |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 45 @ 796kHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 1mH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.280" (7.10mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 1.5MHz |
| وصف تفصيلي: | 1mH Shielded Wirewound Inductor 450mA 2.16 Ohm Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 2.16 Ohm |
| التصويت الحالي: | 450mA |
| الحالي - التشبع: | 900mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPM5022S-102M-RC
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PM5022S-101M | Bourns, Inc. | FIXED IND 100UH 1.7A 207 MOHM | تحقيق |
|
PM5022S-221M | Bourns, Inc. | FIXED IND 220UH 1.1A 470 MOHM | تحقيق |
|
PM5022S-151M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 1.05A 400 MOHM | تحقيق |
 |
PM5022H-4R7M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 4.7UH 8.5A 8.8 MOHM | تحقيق |
|
PM5022H-R78M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 780NH 15A 2.6 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-330M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 33UH 2.5A 83 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022H-6R0M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 6UH 7.5A 17 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-151M | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 1.3A 293 MOHM | تحقيق |
|
PM5022S-101M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 100UH 1.3A 270 MOHM | تحقيق |
|
PM5022S-100M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 4A 33 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-221M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 220UH 1A 510 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-330M | Bourns, Inc. | FIXED IND 33UH 2.8A 75 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022H-3R9M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 3.9UH 9A 12 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-150M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 3.6A 39 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-150M | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 3.4A 48 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-100M | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 3.9A 40 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-220M | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 3.1A 59 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-102M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1MH 530MA 2.01 OHM SMD | تحقيق |
|
PM5022S-220M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 3A 53 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM5022H-7R8M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 7.8UH 7.5A 20 MOHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل