PM105-150M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PM105-150M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PM105-150M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PM105-150M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PM105-150M
- رقم القطعة:
- PM105-150M
- الصانع:
- Bourns, Inc.
- وصف:
- FIXED IND 15UH 2.27A 80 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 37812 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PM105-150M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.386" L x 0.386" W (9.80mm x 9.80mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | PM105 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | M1003CT PM105-150MB PM105150M |
| درجة حرارة التشغيل: | -30°C ~ 100°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 2.52MHz |
| الحث: | 15µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.228" (5.80mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 19MHz |
| وصف تفصيلي: | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 2.27A 80 mOhm Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 80 mOhm |
| التصويت الحالي: | 2.27A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPM105-150M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PM104SH-7R0-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 7UH 3.9A 35 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM104SH-680-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 68UH 1.1A 166 MOHM SMD | تحقيق |
 |
PM105-101K-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 100UH 970MA 350 MOHM | تحقيق |
|
PM105-151K-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 780MA 470 MOHM | تحقيق |
|
PM105-121K | Bourns, Inc. | FIXED IND 120UH 890MA 400 MOHM | تحقيق |
|
PM105-180M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 18UH 2.15A 90 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM105-101K | Bourns, Inc. | FIXED IND 100UH 970MA 350 MOHM | تحقيق |
|
PM105-220M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 1.95A 100 MOHM | تحقيق |
|
PM105-220M | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 1.96A 100 MOHM | تحقيق |
|
PM105-180M | Bourns, Inc. | FIXED IND 18UH 2.15A 90 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM105-100M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 2.6A 60 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM105-221K | Bourns, Inc. | FIXED IND 220UH 660MA 730 MOHM | تحقيق |
|
PM105-150M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 2.25A 80 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM105-120M-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 12UH 2.45A 70 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM105-181K | Bourns, Inc. | FIXED IND 180UH 720MA 630 MOHM | تحقيق |
|
PM105-100M | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 2.6A 60 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM105-181K-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 180UH 720MA 630 MOHM | تحقيق |
|
PM105-151K | Bourns, Inc. | FIXED IND 150UH 780MA 470 MOHM | تحقيق |
|
PM105-120M | Bourns, Inc. | FIXED IND 12UH 2.45A 70 MOHM SMD | تحقيق |
|
PM105-121K-RC | Bourns, Inc. | FIXED IND 120UH 890MA 400 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل