PLF0G561MDO1TD متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PLF0G561MDO1TD، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PLF0G561MDO1TD عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PLF0G561MDO1TD مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PLF0G561MDO1TD
- رقم القطعة:
- PLF0G561MDO1TD
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50149 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.PLF0G561MDO1TD.pdf2.PLF0G561MDO1TD.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| اكتب: | Polymer |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| سلسلة: | PLF |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 5.5A @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| اسماء اخرى: | 493-14095-2 493-14095-2-ND 493-14095-3 PLF0G561MDO1TD-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | 0.138" (3.50mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.472" (12.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 7 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 560µF 4V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 7 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 560µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPLF0G561MDO1TD
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PLF0J221MDL4TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
 |
PLF0G681MDO1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 680UF 20% 4V T/H | تحقيق |
 |
PLF0G561MCO6TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0G561MCO6 | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0G561MDO1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0J471MCO6TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 470UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
 |
PLF0G271MCO8 | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0J331MDL4TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
PLF0G391MDL4TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0J471MCO6 | Nichicon | CAP ALUM POLY 470UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
 |
PLF0G821MDO1TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0J331MDL4 | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
PLF0G821MDO1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 4V T/H | تحقيق |
 |
PLF0G271MCO8TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0G391MDL4 | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0J221MDL4 | Nichicon | CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V T/H | تحقيق |
|
PLF0G271MDL4TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0G271MDL4 | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0G122MDO1TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 1200UF 20% 4V T/H | تحقيق |
|
PLF0G681MDO1TD | Nichicon | CAP ALUM POLY 680UF 20% 4V T/H | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS