PHD13005,127 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PHD13005,127، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PHD13005,127 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PHD13005,127 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PHD13005,127
- رقم القطعة:
- PHD13005,127
- الصانع:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- وصف:
- TRANS NPN 400V 4A TO220AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38119 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PHD13005,127.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 400V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 1V @ 1A, 4A |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 75W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | 1740-1196 568-5752 568-5752-5 568-5752-5-ND 568-5752-ND 934064308127 PHD13005,127-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | - |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 4A 75W Through Hole TO-220AB |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 10 @ 2A, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPHD13005,127
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC