PFE5K2R80E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PFE5K2R80E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PFE5K2R80E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PFE5K2R80E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PFE5K2R80E
- رقم القطعة:
- PFE5K2R80E
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES CHAS MNT 2.8 OHM 10% 744W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40011 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PFE5K2R80E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±10% |
| معامل درجة الحرارة: | ±500ppm/°C |
| حجم / البعد: | - |
| سلسلة: | Powr-Rib®PFE |
| وضع لوحة: | 2.8 Ohms |
| السلطة (واتس): | 744W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Tubular |
| اسماء اخرى: | OHPFE5K2R80E OHPFE5K2R80E-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 350°C |
| تصاعد ميزة: | Brackets |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| قيادي نمط: | Solder Lugs |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 2.8 Ohms ±10% 744W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| تركيب: | Wirewound |
| طلاء، نوع السكن: | Ceramic |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPFE5K2R80E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PFE5K8R50E | Ohmite | RES CHAS MNT 8.5 OHM 10% 751W | تحقيق |
|
PFE5K2R20E | Ohmite | RES CHAS MNT 2.2 OHM 10% 745W | تحقيق |
|
PFE5K5R40 | Ohmite | RES CHAS MNT 5.4 OHM 10% 752W | تحقيق |
|
PFE5K6R80 | Ohmite | RES CHAS MNT 6.8 OHM 10% 721W | تحقيق |
 |
PFE500SA48/T | TDK-Lambda Americas, Inc. | AC/DC CONVERTER 48V 504W | تحقيق |
|
PFE5K6R80E | Ohmite | RES CHAS MNT 6.8 OHM 10% 721W | تحقيق |
|
PFE5K1R60E | Ohmite | RES CHAS MNT 1.6 OHM 10% 1082W | تحقيق |
|
PFE5K4R50E | Ohmite | RES CHAS MNT 4.5 OHM 10% 726W | تحقيق |
|
PFE5K3R50E | Ohmite | RES CHAS MNT 3.5 OHM 10% 746W | تحقيق |
|
PFE5K1R60 | Ohmite | RES CHAS MNT 1.6 OHM 10% 1082W | تحقيق |
|
PFE5K3R50 | Ohmite | RES CHAS MNT 3.5 OHM 10% 746W | تحقيق |
|
PFE5K2R80 | Ohmite | RES CHAS MNT 2.8 OHM 10% 744W | تحقيق |
|
PFE5K4R50 | Ohmite | RES CHAS MNT 4.5 OHM 10% 726W | تحقيق |
|
PFE5K1R30E | Ohmite | RES CHAS MNT 1.3 OHM 10% 1093W | تحقيق |
|
PFE5K1R00E | Ohmite | RES CHAS MNT 1 OHM 10% 1089W | تحقيق |
|
PFE5K1R30 | Ohmite | RES CHAS MNT 1.3 OHM 10% 1093W | تحقيق |
|
PFE5K1R00 | Ohmite | RES CHAS MNT 1 OHM 10% 1089W | تحقيق |
|
PFE5K2R20 | Ohmite | RES CHAS MNT 2.2 OHM 10% 745W | تحقيق |
|
PFE5K8R50 | Ohmite | RES CHAS MNT 8.5 OHM 10% 751W | تحقيق |
|
PFE5K5R40E | Ohmite | RES CHAS MNT 5.4 OHM 10% 752W | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل