PF0560.154NLT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PF0560.154NLT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PF0560.154NLT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PF0560.154NLT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PF0560.154NLT
- رقم القطعة:
- PF0560.154NLT
- وصف:
- FIXED IND 150UH 850MA 506 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52808 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PF0560.154NLT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±25% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.409" L x 0.406" W (10.40mm x 10.30mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | PF0560NL |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 553-1755-2 PF0560.154NLT-ND PF0560154NLT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 150µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.157" (4.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 5.4MHz |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 150µH Shielded Wirewound Inductor 850mA 506 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 506 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 850mA |
| الحالي - التشبع: | 1.15A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPF0560.154NLT
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة