PD70CNT12M5ML متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PD70CNT12M5ML، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PD70CNT12M5ML عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PD70CNT12M5ML مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PD70CNT12M5ML
- رقم القطعة:
- PD70CNT12M5ML
- الصانع:
- Carlo Gavazzi
- وصف:
- PHOTO TE 12M MUTE LOW
- كمية المخزون:
- 55108 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PD70CNT12M5ML.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 10 V ~ 30 V |
| سلسلة: | - |
| طريقة الاستشعار: | Through-Beam |
| الاستشعار عن بعد: | 472" (12m) 39.4' |
| وقت الاستجابة: | 5ms |
| تكوين الناتج: | - |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 55°C |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| مصدر ضوء: | Infrared (850nm) |
| حماية الدخول: | IP67 |
| طريقة الاتصال: | Cable |
| طول السلك: | 196.850" (5000.00mm) |
| نوع التعديل: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPD70CNT12M5ML
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PD70CNT12NO | Carlo Gavazzi | PHOTO TR 12M NPN NO CAB | تحقيق |
 |
PD70CNT12NOM5 | Carlo Gavazzi | PHOTO TR 12M NPN NO | تحقيق |
 |
PD70210ILD-TR | Microsemi | IC PD FRONT END CTLR 16DFN | تحقيق |
|
PD70CNT12MH | Carlo Gavazzi | PHOTO TE 12M MUTE HIGH CAB | تحقيق |
|
PD70CNT12NC | Carlo Gavazzi | PHOTO TR 12M NPN NC CAB | تحقيق |
|
PD70CNT12PO | Carlo Gavazzi | PHOTO TR 12M PNP NO CAB | تحقيق |
 |
PD70101ILQ-TR | Microsemi | IC POE CONTROLLER PD PSE 32QFN | تحقيق |
|
PD70CNT12M5MH | Carlo Gavazzi | PHOTO TE 12M MUTE HIGH | تحقيق |
|
PD70CNT12POM5 | Carlo Gavazzi | PHOTO TR 12M PNP NO | تحقيق |
 |
PD70200ILD-TR | Microsemi | IC POE DRIVER PD PSE 12DFN | تحقيق |
 |
PD70CNT12PC | Carlo Gavazzi | PHOTO TR 12M PNP NC CAB | تحقيق |
|
PD70CNT12NCM5 | Carlo Gavazzi | PHOTO TR 12M NPN NC | تحقيق |
 |
PD70210AILD-TR | Microsemi | IC PD INTERFACE ADV AFE 16DFN | تحقيق |
 |
PD70211ILQ-TR | Microsemi | IC PD INTERFACE ADV 36QFN | تحقيق |
 |
PD70224ILQ-TR | Microsemi | IC BRIDGE RECT FET BASED 40MLPQ | تحقيق |
|
PD70201ILQ-TR | Microsemi | IC POE CONTROLLER PD PSE 32QFN | تحقيق |
|
PD70100ILD-TR | Microsemi | IC PD FRONT END 802.3AF/AT 12DFN | تحقيق |
 |
PD70-01C/TR7 | Everlight Electronics | PHOTODIODE PIN IR FAST SW BK SMD | تحقيق |
|
PD70CNT12PCM5 | Carlo Gavazzi | PHOTO TR 12M PNP NC | تحقيق |
 |
PD70CNT12ML | Carlo Gavazzi | PHOTO TE 12M MUTE LOW CAB | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM