PCX1C151MCL1GS متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PCX1C151MCL1GS، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PCX1C151MCL1GS عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PCX1C151MCL1GS مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PCX1C151MCL1GS
- رقم القطعة:
- PCX1C151MCL1GS
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP ALUM POLY 150UF 20% 16V SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24923 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 16V |
| اكتب: | Polymer |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | 0.406" L x 0.406" W (10.30mm x 10.30mm) |
| حجم / البعد: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| سلسلة: | PCX |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 1.9A @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can - SMD |
| اسماء اخرى: | 493-4670-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 3000 Hrs @ 125°C |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.315" (8.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 33 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 150µF 16V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can - SMD 33 mOhm 3000 Hrs @ 125°C |
| مواسعة: | 150µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPCX1C151MCL1GS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PCX1C391MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 16V SMD | تحقيق |
 |
PCX1C151MCS1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 16V SMD | تحقيق |
 |
PCX1D560MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 56UF 20% 20V SMD | تحقيق |
 |
PCX1D181MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 180UF 20% 20V SMD | تحقيق |
 |
PCX1D121MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 120UF 20% 20V SMD | تحقيق |
|
PCX1C820MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 82UF 20% 16V SMD | تحقيق |
 |
PCX1C271MCS1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 16V SMD | تحقيق |
|
PCX1D271MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 20V SMD | تحقيق |
 |
PCX1C470MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 47UF 20% 16V SMD | تحقيق |
|
PCX1D181MCS1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 180UF 20% 20V SMD | تحقيق |
|
PCX1D121MCS1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 120UF 20% 20V SMD | تحقيق |
 |
PCX1D151MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 20V SMD | تحقيق |
 |
PCX1C101MCS1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V SMD | تحقيق |
|
PCX1C101MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V SMD | تحقيق |
|
PCX1C221MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 220UF 20% 16V SMD | تحقيق |
 |
PCX1C820MCS1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 82UF 20% 16V SMD | تحقيق |
 |
PCX1C151MCL6GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 16V SMD | تحقيق |
|
PCX1D121MCL6GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 120UF 20% 20V SMD | تحقيق |
|
PCX1C271MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 16V SMD | تحقيق |
|
PCX1D330MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 33UF 20% 20V SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل