PCNM1206E10R0BST5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PCNM1206E10R0BST5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PCNM1206E10R0BST5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PCNM1206E10R0BST5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PCNM1206E10R0BST5
- رقم القطعة:
- PCNM1206E10R0BST5
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- RES SMD 10 OHM 0.1% 2W 1206
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36202 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PCNM1206E10R0BST5.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±25ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1206 |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | PCNM |
| وضع لوحة: | 10 Ohms |
| السلطة (واتس): | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1206 (3216 Metric) |
| اسماء اخرى: | 764-1263-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 21 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.018" (0.46mm) |
| الميزات: | Flame Proof, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Safety |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 10 Ohms ±0.1% 2W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Flame Proof, Moisture Resistant, Non-Magnetic, Safety Thin Film |
| تركيب: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPCNM1206E10R0BST5
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي