PBSS4260QAZ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PBSS4260QAZ، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PBSS4260QAZ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PBSS4260QAZ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PBSS4260QAZ
- رقم القطعة:
- PBSS4260QAZ
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32692 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PBSS4260QAZ.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 60V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 190mV @ 50mA, 1A |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1010D-3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 325mW |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 3-XDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 1727-1464-6 1727-1464-6-ND 1727-2381-6 568-10935-6 568-10935-6-ND 568-12680-6 568-12680-6-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 180MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 180MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 40 @ 2A, 2V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPBSS4260QAZ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4350D,125 | Nexperia | TRANS NPN 50V 3A 6TSOP | تحقيق |
 |
PBSS4320X,135 | Nexperia | TRANS NPN 20V 3A SOT89 | تحقيق |
 |
PBSS4320TVL | Nexperia | PBSS4320T/SOT23/TO-236AB | تحقيق |
|
PBSS4250X,135 | Nexperia | TRANS NPN 50V 2A SOT89 | تحقيق |
 |
PBSS4330PASX | Nexperia | IC TRANS NPN 30V 3A SOT1061 | تحقيق |
|
PBSS4330X,135 | Nexperia | TRANS NPN 30V 3A SOT89 | تحقيق |
 |
PBSS4260PANPSX | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 2A 6HUSON | تحقيق |
|
PBSS4250X,115 | Nexperia | TRANS NPN 50V 2A SOT89 | تحقيق |
|
PBSS4330PA,115 | Nexperia | TRANS NPN 30V 3A SOT1061 | تحقيق |
|
PBSS4350D,135 | Nexperia | TRANS NPN 50V 3A 6TSOP | تحقيق |
 |
PBSS4320T,215 | Nexperia | TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 | تحقيق |
|
PBSS4260PANSX | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 2A 6HUSON | تحقيق |
 |
PBSS4240ZX | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT223 | تحقيق |
|
PBSS4260PANP,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 2A 6HUSON | تحقيق |
 |
PBSS4240Y,115 | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A 6TSSOP | تحقيق |
|
PBSS4260PAN,115 | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 2A 6HUSON | تحقيق |
|
PBSS4330X,115 | Nexperia | TRANS NPN 30V 3A SOT89 | تحقيق |
|
PBSS4240ZF | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT223 | تحقيق |
|
PBSS4350D,115 | Nexperia | TRANS NPN 50V 3A 6TSOP | تحقيق |
|
PBSS4240XX | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT89 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل