PBSS4160V,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PBSS4160V,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PBSS4160V,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PBSS4160V,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PBSS4160V,115
- رقم القطعة:
- PBSS4160V,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- TRANS NPN 60V 0.9A SOT666
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57893 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PBSS4160V,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 60V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 250mV @ 100mA, 1A |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-666 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
| اسماء اخرى: | 1727-5746-1 568-7293-1 568-7293-1-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 220MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 900mA 220MHz 500mW Surface Mount SOT-666 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 200 @ 500mA, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100nA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 900mA |
| رقم جزء القاعدة: | PBSS4160 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPBSS4160V,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4160T,215 | Nexperia | TRANS NPN 60V 1A SOT23 | تحقيق |
 |
PBSS4230PAN,115 | Nexperia | TRANS 30V 2A 6HUSON | تحقيق |
|
PBSS4230T,215 | Nexperia | TRANS NPN 30V 2A SOT23 | تحقيق |
|
PBSS4160PAN,115 | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON | تحقيق |
 |
PBSS4160TVL | Nexperia | PBSS4160T/SOT23/TO-236AB | تحقيق |
 |
PBSS4160U,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 0.75A SOT323 | تحقيق |
 |
PBSS4160XF | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | تحقيق |
 |
PBSS4230QAZ | Nexperia | TRANS NPN 30V 2A 3DFN | تحقيق |
 |
PBSS4220V,115 | Nexperia | TRANS NPN 20V 2A SOT666 | تحقيق |
|
PBSS4230PANP,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON | تحقيق |
 |
PBSS4160K,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS NPN 60V 0.75A SC59 | تحقيق |
|
PBSS4160PANSX | Nexperia | TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON | تحقيق |
|
PBSS4230QAZ | Nexperia USA Inc. | TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 | تحقيق |
|
PBSS4160XX | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | تحقيق |
 |
PBSS4160DSZ | Nexperia | PBSS4160DS/SOT457/SC-74 | تحقيق |
|
PBSS4160QAZ | Nexperia | TRANS NPN 60V 1A 3DFN | تحقيق |
|
PBSS4160PANPSX | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON | تحقيق |
|
PBSS4160PANP,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON | تحقيق |
|
PBSS4220PANSX | Nexperia | TRANS 2NPN 20V 2A 6HUSON | تحقيق |
|
PBSS4240DPN,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 40V 6TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل