PBSS303NX,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PBSS303NX,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PBSS303NX,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PBSS303NX,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PBSS303NX,115
- رقم القطعة:
- PBSS303NX,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- TRANS NPN 30V 5.1A SOT89
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28115 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PBSS303NX,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 30V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 220mV @ 255mA, 5.1A |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-89-3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 2.1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | 1727-5726-2 568-7271-2 568-7271-2-ND 934059009115 PBSS303NX T/R PBSS303NX T/R-ND PBSS303NX,115-ND PBSS303NX115 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 130MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 5.1A 130MHz 2.1W Surface Mount SOT-89-3 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 250 @ 2A, 2V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 5.1A |
| رقم جزء القاعدة: | PBSS303N |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPBSS303NX,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS304NZ,135 | Nexperia | TRANS NPN 60V 5.2A SOT-223 | تحقيق |
 |
PBSS304NX,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 4.7A SOT89 | تحقيق |
|
PBSS301PZ,135 | Nexperia | TRANS PNP 12V 5.7A SOT-223 | تحقيق |
 |
PBSS302PDH | Nexperia | TRANS PNP 40V 4A 6TSOP | تحقيق |
|
PBSS304PD,115 | Nexperia | TRANS PNP 80V 1A 6TSOP | تحقيق |
|
PBSS302ND,115 | Nexperia | TRANS NPN 40V 4A 6TSOP | تحقيق |
|
PBSS302NX,115 | Nexperia | TRANS NPN 20V 5.3A SOT89 | تحقيق |
|
PBSS303NZ,135 | Nexperia | TRANS NPN 30V 5.5A SOT-223 | تحقيق |
|
PBSS302PZ,135 | Nexperia | TRANS PNP 20V 5.5A SOT-223 | تحقيق |
|
PBSS302PD,115 | Nexperia | TRANS PNP 40V 4A 6TSOP | تحقيق |
|
PBSS303PZ,135 | Nexperia | TRANS PNP 30V 5.3A SOT223 | تحقيق |
|
PBSS303PD,115 | Nexperia | TRANS PNP 60V 1A 6TSOP | تحقيق |
|
PBSS302NZ,135 | Nexperia | TRANS NPN 20V 5.8A SOT-223 | تحقيق |
|
PBSS303ND,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 1A 6TSOP | تحقيق |
|
PBSS302NDH | Nexperia | TRANS NPN 40V 4A 6TSOP | تحقيق |
|
PBSS302PX,115 | Nexperia | TRANS PNP 20V 5.1A SOT89 | تحقيق |
|
PBSS304PX,115 | Nexperia | TRANS PNP 60V 4.2A SOT89 | تحقيق |
|
PBSS303PX,115 | Nexperia | TRANS PNP 30V 5.1A SOT89 | تحقيق |
 |
PBSS304NXZ | Nexperia | PBSS304NX/SOT89/MPT3 | تحقيق |
|
PBSS304ND,115 | Nexperia | TRANS NPN 80V 1A 6TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل