PA4307.105NLT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PA4307.105NLT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PA4307.105NLT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PA4307.105NLT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PA4307.105NLT
- رقم القطعة:
- PA4307.105NLT
- وصف:
- FIXED IND 1MH 300MA 12.295 OHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27303 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PA4307.105NLT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.287" L x 0.287" W (7.30mm x 7.30mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | PA4307.XXXNL |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 553-3587-2 PA4307.105NLT-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 1mH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.138" (3.50mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 12.295 Ohm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 12.295 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 300mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPA4307.105NLT
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC