P5010D050S401H متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل P5010D050S401H، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل P5010D050S401H عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء P5010D050S401H مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
P5010D050S401H
- رقم القطعة:
- P5010D050S401H
- وصف:
- THERMISTOR PTC 40 OHM COIN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26196 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- P5010D050S401H.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سلسلة: | - |
| التسامح المقاومة: | - |
| المقاومة عند 25 درجة مئوية: | 40 Ohms |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Coin |
| اسماء اخرى: | 223-1186 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Clamp On |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | PTC Thermistor 40 Ohms Coin |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لP5010D050S401H
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل