P0106NLT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل P0106NLT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل P0106NLT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء P0106NLT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
P0106NLT
- رقم القطعة:
- P0106NLT
- وصف:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 17.3UH SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22882 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- P0106NLT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±10% |
| حجم / البعد: | 0.380" L x 0.430" W (9.65mm x 10.92mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | Polecat |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-SMD |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 130°C |
| عدد من لفائف: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الحث - في سلسلة متصلة: | 69.1µH |
| الحث - متصلة على التوازي: | 17.3µH |
| ارتفاع: | 0.098" (2.49mm) |
| وصف تفصيلي: | Unshielded 2 Coil Inductor Array 69.1µH Inductance - Connected in Series 17.3µH Inductance - Connected in Parallel 180 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 800mA 6-SMD |
| دس المقاومة (دكر) - السلسلة: | 720 mOhm Max |
| دس المقاومة (دكر) - موازية: | 180 mOhm Max |
| التقييم الحالي - السلسلة: | 400mA |
| التقييم الحالي - موازية: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لP0106NLT
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي