OZ-SS-112LM1,200 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل OZ-SS-112LM1,200، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل OZ-SS-112LM1,200 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء OZ-SS-112LM1,200 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
OZ-SS-112LM1,200
- رقم القطعة:
- OZ-SS-112LM1,200
- وصف:
- RELAY GEN PURPOSE SPST 16A 12V
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50950 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.OZ-SS-112LM1,200.pdf2.OZ-SS-112LM1,200.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | 9 VDC |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | 0.6 VDC |
| إنهاء نمط: | PC Pin |
| تحويل الجهد: | 240VAC, 24VDC - Max |
| سلسلة: | OZ, OEG |
| الافراج عن الوقت: | 8ms |
| نوع التقوية: | General Purpose |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| اسماء اخرى: | 2-1440002-4 2-1440002-4-ND 214400024 OZ-SS-112LM1,200-ND PB1671 |
| درجة حرارة التشغيل: | -30°C ~ 70°C |
| تعمل وقت: | 20ms |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Insulation - Class A, Sealed - Flux Protection |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Through Hole |
| اتصل التصويت (الحالي): | 16A |
| اتصل المواد: | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
| نموذج الاتصال: | SPST-NO (1 Form A) |
| لفائف الجهد: | 12VDC |
| لفائف نوع: | Non Latching |
| لفائف المقاومة: | 270 Ohms |
| لفائف السلطة: | 540 mW |
| لفائف الحالي: | 44.4mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لOZ-SS-112LM1,200
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات