OKLF-T/25-W12N-C متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل OKLF-T/25-W12N-C، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل OKLF-T/25-W12N-C عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء OKLF-T/25-W12N-C مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
OKLF-T/25-W12N-C
- رقم القطعة:
- OKLF-T/25-W12N-C
- الصانع:
- Murata Power Solutions
- وصف:
- DC DC CONVERTER 0.6-3.3V 91W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46016 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- OKLF-T/25-W12N-C.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - المخرج 3: | - |
| الجهد - الناتج 2: | - |
| الجهد - الناتج 1: | 0.6 ~ 3.3 V |
| الجهد - الإدخال (مين): | 6.5V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 14V |
| اكتب: | Non-Isolated PoL Module |
| حجم / البعد: | 1.30" L x 0.53" W x 0.48" H (33.0mm x 13.5mm x 12.2mm) |
| سلسلة: | Okami™ OKLF-T |
| السلطة (واتس): | 91W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-SMD Module |
| اسماء اخرى: | 811-2934-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 30 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Remote On/Off, OTP, SCP, UVLO |
| كفاءة: | 94% |
| وصف تفصيلي: | Non-Isolated PoL Module DC DC Converter 1 Output 0.6 ~ 3.3 V 25A 6.5V - 14V Input |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 25A |
| ميزات التحكم: | Enable, Active Low |
| التطبيقات: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لOKLF-T/25-W12N-C
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة