NX3DV3899HR,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NX3DV3899HR,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NX3DV3899HR,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NX3DV3899HR,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NX3DV3899HR,115
- رقم القطعة:
- NX3DV3899HR,115
- وصف:
- IC ANLG SWITCH DPDT 16-HXQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24780 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NX3DV3899HR,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 1.4 V ~ 4.3 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | - |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 40ns, 20ns |
| تبديل الدائرة: | DPDT |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-HXQFN (3x3) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-XFQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 568-8410-2 935293167115 NX3DV3899HR115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 3.3 Ohm |
| عدد الدوائر: | 2 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 2:2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 2 Circuit IC Switch 2:2 3.3 Ohm 16-HXQFN (3x3) |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 5nA |
| الحديث المتبادل: | -90dB @ 1MHz |
| شحن الحقن: | 4pC |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 700 mOhm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 8pF |
| رقم جزء القاعدة: | NX3DV3899 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | 200MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNX3DV3899HR,115
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل