NVT2010BQ,118 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NVT2010BQ,118، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NVT2010BQ,118 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NVT2010BQ,118 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NVT2010BQ,118
- رقم القطعة:
- NVT2010BQ,118
- وصف:
- IC TRNSLTR BIDIR 24DHVQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41244 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NVT2010BQ,118.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - فكب: | 1.8V ~ 5.5V |
| الجهد - فكا: | 1V ~ 3.6V |
| نوع المترجم: | Voltage Level |
| تجار الأجهزة حزمة: | 24-DHVQFN (5.5x3.5) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 24-VFQFN Exposed Pad |
| نوع المخرجات: | Open Drain, Push-Pull |
| إشارة الخرج: | - |
| اسماء اخرى: | 568-5298-2 935292077118 NVT2010BQ118 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| اشارة ادخال: | - |
| الميزات: | Auto-Direction Sensing |
| وصف تفصيلي: | Voltage Level Translator Bidirectional 1 Circuit 10 Channel 24-DHVQFN (5.5x3.5) |
| معدل البيانات: | - |
| القنوات لكل دائرة: | 10 |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Bidirectional |
| رقم جزء القاعدة: | NVT2010 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNVT2010BQ,118
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي