NVMFD5C470NLWFT1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NVMFD5C470NLWFT1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NVMFD5C470NLWFT1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NVMFD5C470NLWFT1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NVMFD5C470NLWFT1G
- رقم القطعة:
- NVMFD5C470NLWFT1G
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22691 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NVMFD5C470NLWFT1G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 20µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11.5 mOhm @ 5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 3W (Ta), 24W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| اسماء اخرى: | NVMFD5C470NLWFT1GOSCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 50 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 590pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 11A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNVMFD5C470NLWFT1G
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة