NTND31225CZTAG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NTND31225CZTAG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NTND31225CZTAG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NTND31225CZTAG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NTND31225CZTAG
- رقم القطعة:
- NTND31225CZTAG
- وصف:
- MOSFET DUAL 20V XLLGA6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59156 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NTND31225CZTAG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-XLLGA (.90x.65) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 125mW (Ta) |
| حزمة / كيس: | 6-XFLGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N and P-Channel Complementary |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 220mA (Ta), 127mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount 6-XLLGA (.90x.65) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 220mA (Ta), 127mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTND31225CZTAG
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي