NR4018T4R7M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NR4018T4R7M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NR4018T4R7M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NR4018T4R7M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NR4018T4R7M
- رقم القطعة:
- NR4018T4R7M
- الصانع:
- Taiyo Yuden
- وصف:
- FIXED IND 4.7UH 1.2A 108 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57080 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.NR4018T4R7M.pdf2.NR4018T4R7M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | NR |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 587-1671-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 120°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 4.7µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.071" (1.80mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 34MHz |
| وصف تفصيلي: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 108 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 108 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 1.2A |
| الحالي - التشبع: | 1.7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNR4018T4R7M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NR4018T330M | Taiyo Yuden | FIXED IND 33UH 490MA 636 MOHM | تحقيق |
|
NR4018T1R0N | Taiyo Yuden | FIXED IND 1UH 1.83A 36 MOHM SMD | تحقيق |
|
NR4018T6R8M | Taiyo Yuden | FIXED IND 6.8UH 1.06A 132 MOHM | تحقيق |
|
NR4018T2R2M | Taiyo Yuden | FIXED IND 2.2UH 1.44A 72 MOHM | تحقيق |
 |
NR4018T151M | Taiyo Yuden | FIXED IND 150UH 220MA 3 OHM SMD | تحقيق |
|
NR4018T680M | Taiyo Yuden | FIXED IND 68UH 320MA 1.2 OHM SMD | تحقيق |
|
NR4018T3R3M | Taiyo Yuden | FIXED IND 3.3UH 1.23A 84 MOHM | تحقيق |
|
NR4018T220M | Taiyo Yuden | FIXED IND 22UH 590MA 432 MOHM | تحقيق |
 |
NR4012T470M | Taiyo Yuden | FIXED IND 47UH 370MA 1.2 OHM SMD | تحقيق |
|
NR4012T330M | Taiyo Yuden | FIXED IND 33UH 420MA 972 MOHM | تحقيق |
|
NR4018T221M | Taiyo Yuden | FIXED IND 220UH 170MA 4.8 OHM | تحقيق |
|
NR4012T3R3M | Taiyo Yuden | FIXED IND 3.3UH 980MA 156 MOHM | تحقيق |
|
NR4018T150M | Taiyo Yuden | FIXED IND 15UH 650MA 300 MOHM | تحقيق |
|
NR4018T470M | Taiyo Yuden | FIXED IND 47UH 420MA 780 MOHM | تحقيق |
|
NR4012T6R8M | Taiyo Yuden | FIXED IND 6.8UH 840MA 216 MOHM | تحقيق |
|
NR4012T471M | Taiyo Yuden | FIXED IND 470UH SMD | تحقيق |
|
NR4012T4R7M | Taiyo Yuden | FIXED IND 4.7UH 960MA 168 MOHM | تحقيق |
|
NR4018T101M | Taiyo Yuden | FIXED IND 100UH 270MA 1.8 OHM | تحقيق |
|
NR4012T4R7N | Taiyo Yuden | FIXED IND 4.7UH 960MA 168 MOHM | تحقيق |
|
NR4018T100M | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 840MA 216 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل