NOJA336M004SWJ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NOJA336M004SWJ، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NOJA336M004SWJ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NOJA336M004SWJ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NOJA336M004SWJ
- رقم القطعة:
- NOJA336M004SWJ
- الصانع:
- AVX Corporation
- وصف:
- CAP NIOB OXIDE 33UF 20% 4V 1206
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22603 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NOJA336M004SWJ.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1206 (3216 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | OxiCap® NOJ |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1206 (3216 Metric) |
| اسماء اخرى: | 478-7516-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | A |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.071" (1.80mm) |
| الميزات: | - |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 1.7 Ohms |
| عامل التبدد: | 10% |
| وصف تفصيلي: | 33µF Niobium Oxide Capacitor 4V 1206 (3216 Metric) 1.7 Ohms |
| الحالي - التسرب: | 2.6µA |
| مواسعة: | 33µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNOJA336M004SWJ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NOJA156M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 4V 1206 | تحقيق |
|
NOJA156M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 6.3V 1206 | تحقيق |
|
NOJA685M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 6.8UF 20% 10V 1206 | تحقيق |
 |
NOJB107M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 1210 | تحقيق |
|
NOJA476M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 2.5V 1206 | تحقيق |
|
NOJA226M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 2.5V 1206 | تحقيق |
|
NOJA336M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 33UF 20% 4V 1206 | تحقيق |
|
NOJA475M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 4.7UF 20% 6.3V 1206 | تحقيق |
|
NOJA226M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 6.3V 1206 | تحقيق |
|
NOJB107M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 1.8V 1210 | تحقيق |
|
NOJA476M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 1.8V 1206 | تحقيق |
|
NOJA156M004SWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 4V 1206 | تحقيق |
|
NOJA685M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 6.8UF 20% 6.3V 1206 | تحقيق |
|
NOJB106M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 10UF 20% 10V 1210 | تحقيق |
|
NOJA336M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 33UF 20% 2.5V 1206 | تحقيق |
|
NOJA226M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 1206 | تحقيق |
|
NOJA476M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 47UF 20% 4V 1206 | تحقيق |
|
NOJA475M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 4.7UF 20% 10V 1206 | تحقيق |
|
NOJA106M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 10UF 20% 10V 1206 | تحقيق |
|
NOJA156M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 10V 1206 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار