NLV14011UBDR2G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NLV14011UBDR2G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NLV14011UBDR2G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NLV14011UBDR2G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NLV14011UBDR2G
- رقم القطعة:
- NLV14011UBDR2G
- وصف:
- IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26789 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NLV14011UBDR2G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 18 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-SOIC |
| سلسلة: | 4000B |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 80ns @ 15V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| نوع المنطق: | NAND Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 1 V ~ 2.5 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 4 V ~ 12.5 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NAND Gate IC 4 Channel 14-SOIC |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 1µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 3.5mA, 8.8mA |
| رقم جزء القاعدة: | 4011 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNLV14011UBDR2G
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار