NLCV32T-R10M-PFRD متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NLCV32T-R10M-PFRD، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NLCV32T-R10M-PFRD عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NLCV32T-R10M-PFRD مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NLCV32T-R10M-PFRD
- رقم القطعة:
- NLCV32T-R10M-PFRD
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 100NH 2.8A 24 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23962 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NLCV32T-R10M-PFRD.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1210 (3225 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | NLCV-PFD |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| س @ التكرار: | 10 @ 25.2MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1210 (3225 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 25.2MHz |
| الحث: | 100nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.094" (2.40mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 800MHz |
| وصف تفصيلي: | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 2.8A 24 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 24 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 2.8A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNLCV32T-R10M-PFRD
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل