NE5550779A-A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NE5550779A-A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NE5550779A-A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NE5550779A-A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NE5550779A-A
- رقم القطعة:
- NE5550779A-A
- وصف:
- FET RF 30V 900MHZ 79A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32820 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NE5550779A-A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 7.5V |
| الجهد - تقييمه: | 30V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | 79A |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 38.5dBm |
| التعبئة والتغليف: | Strip |
| حزمة / كيس: | 4-SMD, Flat Leads |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 22dB |
| تردد: | 900MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 7.5V 140mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A |
| التصويت الحالي: | 2.1A |
| الحالي - اختبار: | 140mA |
| رقم جزء القاعدة: | NE5550 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE5550779A-A
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU