NE2D_B&W_V90F6.0_SGA متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NE2D_B&W_V90F6.0_SGA، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NE2D_B&W_V90F6.0_SGA عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NE2D_B&W_V90F6.0_SGA مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NE2D_B&W_V90F6.0_SGA
- رقم القطعة:
- NE2D_B&W_V90F6.0_SGA
- الصانع:
- ams
- وصف:
- IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35138 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NE2D_B&W_V90F6.0_SGA.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.8 V ~ 2.4 V |
| اكتب: | - |
| سلسلة: | NanEye |
| بكسل الحجم: | 3µm x 3µm |
| اسماء اخرى: | 301200006 NE2D_B&W_FOV90_F6.0_ NE2D_B&W_FOV90_F6.0_-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 60°C |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| لقطة في الثانية: | 55 |
| وصف تفصيلي: | Image Sensor 250H x 250V 3µm x 3µm |
| صفيف بكسل فعال: | 250H x 250V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE2D_B&W_V90F6.0_SGA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NE2D_RGB_FOV90F4.0_NP_1.05MRCSPF | ams | NE2D_RGB_FOV90F4.0_NP_1.05MRCSPF | تحقيق |
|
NE2D_FIB_RGB_FOV90 | ams | NE_FIBER_OPTIC_BOX_DEMO_ENDOSCOP | تحقيق |
|
NE2D_B&W_V90F4.0_SGA | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V NO CABLE | تحقيق |
|
NE2D_B&W_V90F2.7_SGA | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | تحقيق |
|
NE2D_B&W_FOV90_F4.0 | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | تحقيق |
 |
NE2D_RGB_F2.8_FOV120 | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V NO CABLE | تحقيق |
|
NE2D_RGB_F6.0_CLS2M | ams | NE2D_RGB_FOV90_F6.0 CLOSERF FT S | تحقيق |
|
NE2D_CHIP_RGB_SGA | ams | NANEYE 2D SENSOR | تحقيق |
|
NE2D_B&W_80UMAPERTUR | ams | NE2D_B&W_80UMAPERTURE FT SE | تحقيق |
|
NE2D_RGB_FOV90F4.0_N | ams | NE2D_RGB_FOV90F4.0_FT SE | تحقيق |
|
NE2D_B&W_V120F2.8_2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | تحقيق |
|
NE2D_CHIP_B&W_SGA | ams | NANEYE 2D SENSOR | تحقيق |
|
NE2D_B&W_V90F6.0_3M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3M CABLE | تحقيق |
|
NE2D_RGB_FOV90_F2.7_ | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | تحقيق |
|
NE2D_RGB_FOV120_F4.0 | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | تحقيق |
|
NE2D_BW_V90F2.7_NB2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 2M CABLE | تحقيق |
|
NE2D_B&W_FOV160_F2.4 | ams | NE2D_B&W_FOV160_F2.4_2M FT SE | تحقيق |
|
NE2D_B&W_V90F2.7_2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 2M CABLE | تحقيق |
|
NE2D_B&W_V120F2.8_SG | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | تحقيق |
|
NE2D_B&W_V160F2.4_SG | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS