NCX2200GM,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NCX2200GM,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NCX2200GM,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NCX2200GM,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NCX2200GM,115
- رقم القطعة:
- NCX2200GM,115
- وصف:
- IC COMPARATOR RRIO SINGLE 6-XSON
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35230 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NCX2200GM,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض، واحد / المزدوج (±): | 1.3 V ~ 5.5 V |
| الجهد - الإدخال أوفست (ماكس): | 30mV @ 5.5V |
| اكتب: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-XSON, SOT886 (1.45x1) |
| سلسلة: | - |
| تأخير نشر (ماكس): | 800ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-XFDFN |
| نوع المخرجات: | Rail-to-Rail |
| اسماء اخرى: | 568-7524-2 935294048115 NCX2200GM115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من عناصر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| التخلفية نزعة المادة الممغنطة إلي البقاء في حالة مغناطيسية: | 20mV |
| وصف تفصيلي: | Comparator General Purpose Rail-to-Rail 6-XSON, SOT886 (1.45x1) |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 6µA |
| الحالي - الإخراج (الطباع): | - |
| الحالي - الإدخال التحيز (ماكس): | 1pA @ 5.5V |
| CMRR، PSRR (الطباع): | 70dB CMRR, 80dB PSRR |
| رقم جزء القاعدة: | NCX2200 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNCX2200GM,115
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي