NCV8560MNADJR2G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NCV8560MNADJR2G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NCV8560MNADJR2G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NCV8560MNADJR2G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NCV8560MNADJR2G
- رقم القطعة:
- NCV8560MNADJR2G
- وصف:
- IC REG LINEAR POS ADJ 150MA 6DFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47319 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NCV8560MNADJR2G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسرب الجهد (ماكس): | 0.125V @ 150mA |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 1.25V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | 5V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 6V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-DFN (3x3) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| ميزات الحماية: | Over Current, Over Temperature |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VDFN Exposed Pad |
| PSRR: | 62dB ~ 38dB (120Hz ~ 10kHz) |
| نوع المخرجات: | Adjustable |
| تكوين الناتج: | Positive |
| اسماء اخرى: | NCV8560MNADJR2G-ND NCV8560MNADJR2GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المنظمين: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable 1 Output 1.25 V ~ 5 V 150mA 6-DFN (3x3) |
| الحالية - هادئة (Iq): | 135µA |
| الحالي - الناتج: | 150mA |
| ميزات التحكم: | Enable |
| رقم جزء القاعدة: | NCV8560 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNCV8560MNADJR2G
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي