NCP5359ADR2G
رقم القطعة:
NCP5359ADR2G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
24662 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
NCP5359ADR2G.pdf

المقدمة

NCP5359ADR2G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NCP5359ADR2G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NCP5359ADR2G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NCP5359ADR2G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - توريد:10 V ~ 13.2 V
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:-
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع):16ns, 15ns
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:NCP5359ADR2GOSCT
درجة حرارة التشغيل:0°C ~ 150°C (TJ)
تردد الإدخال:2
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
المنطق الجهد - فيل، فيه:1V, 2V
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
نوع المدخلات:Non-Inverting
عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد):30V
نوع البوابة:N-Channel MOSFET
تكوين مدفوعة:Half-Bridge
وصف تفصيلي:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة):-
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس):Synchronous
رقم جزء القاعدة:NCP5359
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

Latest الأخبار