NCP1031DR2G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NCP1031DR2G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NCP1031DR2G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NCP1031DR2G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NCP1031DR2G
- رقم القطعة:
- NCP1031DR2G
- وصف:
- IC CTRLR PWM OTP OVD HV 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35185 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NCP1031DR2G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 7.6 V ~ 16 V |
| الجهد - البدء: | 10.2V |
| الجهد - انهيار: | 200V |
| البنية: | Boost, Flyback, Forward |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| السلطة (واتس): | 6W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| الناتج عزل: | Either |
| اسماء اخرى: | NCP1031DR2GOSCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 34 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تحويل داخلي (ق): | Yes |
| تردد - التبديل: | Up to 1MHz |
| حماية الأخطاء: | Current Limiting, Over Temperature |
| دورة واجب: | 75% |
| وصف تفصيلي: | Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology Up to 1MHz 8-SOIC |
| ميزات التحكم: | Frequency Control |
| رقم جزء القاعدة: | NCP1031 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNCP1031DR2G
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار