NB7VPQ701MMUTBG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NB7VPQ701MMUTBG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NB7VPQ701MMUTBG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NB7VPQ701MMUTBG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NB7VPQ701MMUTBG
- رقم القطعة:
- NB7VPQ701MMUTBG
- وصف:
- IC REDRIVER USB 3.1 UQFN12
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29068 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NB7VPQ701MMUTBG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.71 V ~ 1.89 V |
| اكتب: | Buffer, ReDriver |
| تجار الأجهزة حزمة: | 12-UQFN (1.6x1.6) |
| إشارة تكييف: | Input Equalization, Output De-Emphasis |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 12-UFQFN |
| الناتج: | Differential |
| اسماء اخرى: | NB7VPQ701MMUTBGOSCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد القنوات: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال: | Differential |
| وصف تفصيلي: | Buffer, ReDriver 1 Channel 10Gbps 12-UQFN (1.6x1.6) |
| وقت التأخير: | 150ps |
| معدل البيانات (الحد الأقصى): | 10Gbps |
| الحالي - توريد: | 65mA |
| السعة - الإدخال: | 1.25pF |
| التطبيقات: | USB |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNB7VPQ701MMUTBG
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي