NB4N111KMNG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NB4N111KMNG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NB4N111KMNG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NB4N111KMNG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NB4N111KMNG
- رقم القطعة:
- NB4N111KMNG
- وصف:
- IC CLK BUFFER 1:10 400MHZ 32QFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25748 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NB4N111KMNG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 3.6 V |
| اكتب: | Fanout Buffer (Distribution) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 32-QFN (5x5) |
| سلسلة: | - |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:10 |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 32-VFQFN Exposed Pad |
| الناتج: | HCSL |
| اسماء اخرى: | NB4N111KMNG-ND NB4N111KMNGOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 70°C |
| عدد الدوائر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال: | CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL |
| تردد - الحد الأقصى: | 400MHz |
| التفاضلية - الإدخال: إخراج: | Yes/Yes |
| وصف تفصيلي: | Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 1:10 400MHz 32-VFQFN Exposed Pad |
| رقم جزء القاعدة: | NB4N111K |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNB4N111KMNG
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي