NAND512R3A2AZA6E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل NAND512R3A2AZA6E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل NAND512R3A2AZA6E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء NAND512R3A2AZA6E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
NAND512R3A2AZA6E
- رقم القطعة:
- NAND512R3A2AZA6E
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 53654 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- NAND512R3A2AZA6E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 60ns |
| الجهد - توريد: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| تكنولوجيا: | FLASH - NAND |
| تجار الأجهزة حزمة: | 55-VFBGA (8x10) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 55-TFBGA |
| اسماء اخرى: | 497-3615 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 512Mb (64M x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | FLASH |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 55-VFBGA (8x10) |
| رقم جزء القاعدة: | NAND512 |
| وقت الدخول: | 60ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNAND512R3A2AZA6E
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل