N01L63W3AB25I متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل N01L63W3AB25I، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل N01L63W3AB25I عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء N01L63W3AB25I مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
N01L63W3AB25I
- رقم القطعة:
- N01L63W3AB25I
- وصف:
- IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43468 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- N01L63W3AB25I.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 55ns |
| الجهد - توريد: | 2.3 V ~ 3.6 V |
| تكنولوجيا: | SRAM - Asynchronous |
| تجار الأجهزة حزمة: | 48-BGA (6x8) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 48-LFBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 1Mb (64K x 16) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 55ns 48-BGA (6x8) |
| رقم جزء القاعدة: | N01L63W3A |
| وقت الدخول: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لN01L63W3AB25I
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي