MV2N5114 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MV2N5114، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MV2N5114 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MV2N5114 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MV2N5114
- رقم القطعة:
- MV2N5114
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- P CHANNEL JFET
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 59537 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MV2N5114.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد: | 10V @ 1nA |
| الجهد - توزيع (V (BR) جهاز الأمن العام): | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-18 (TO-206AA) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500 |
| المقاومة - RDS (على): | 75 Ohms |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 25pF @ 15V |
| نوع FET: | P-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0): | 90mA @ 18V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMV2N5114
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MV2N4861 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4858 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4857UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4859 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
 |
MV2109RLRAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE TUNING 30V 33PF TO92-2 | تحقيق |
|
MV2N4392 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4391UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4856 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4857 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4859UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N5116 | Microsemi | P CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4858UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4393 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4860 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4092 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4860UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4856UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4391 | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4393UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
|
MV2N4392UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي