MTD5010N متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MTD5010N، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MTD5010N عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MTD5010N مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MTD5010N
- رقم القطعة:
- MTD5010N
- الصانع:
- Marktech Optoelectronics
- وصف:
- PHOTO DIODE 850NM DOME CLR TO-18
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37891 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MTD5010N.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الطول الموجي: | 850nm |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 30V |
| زاوية الرؤية: | 24° |
| المدى الطيفي: | 400nm ~ 1100nm |
| سلسلة: | - |
| Responsivity @ نانومتر: | 0.2 A/W @ 450nm |
| وقت الاستجابة: | 3.5ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | - |
| اسماء اخرى: | 1125-1006 MTD5010N-DIG |
| درجة حرارة التشغيل: | -30°C ~ 100°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | - |
| وصف تفصيلي: | Photodiode 850nm 3.5ns 24° |
| الحالي - الظلام (الطباع): | 5nA |
| اللون - المحسن: | Infrared (NIR)/Red |
| منطقة نشطة: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMTD5010N
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل