MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR
- رقم القطعة:
- MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR
- الصانع:
- Micron Technology
- وصف:
- IC DRAM 4G 1600MHZ
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25646 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
| الجهد - توريد: | 1.1V |
| تكنولوجيا: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| اسماء اخرى: | MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR-ND MT53B128M32D1DS-062AUT:ATR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TC) |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 4Gb (128M x 32) |
| واجهة الذاكرة: | - |
| تنسيق الذاكرة: | DRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz |
| تردد على مدار الساعة: | 1600MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU